Cavity mode analysis of highly strained direct bandgap germanium micro-bridge cavities - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Cavity mode analysis of highly strained direct bandgap germanium micro-bridge cavities

F. Armand-Pilon
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
T. Zabel
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
E. Marin
Paul Scherrer Institute
C. Bonzon
  • Fonction : Auteur
Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
S. Tardif
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
A. Gassenq
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
N. Pauc
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
V. Reboud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Calvo
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
J. Hartmann
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Alexei Chelnokov
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Faist
  • Fonction : Auteur
Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
H. Sigg
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute

Résumé

Enhanced photoluminescence at a wavelength as high as 5 μm is obtained in uni-axial tensile strained GeOI micro-bridges cavities. We present, using excitation power dependent photoluminescence spectroscopy, a clear cavity mode pattern which indicates a loss reduction with increasing free carrier density.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Samuel Tardif  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02016455

Soumis le : mardi 12 février 2019-16:39:59

Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2024-03:42:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016455 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

Citer

F. Armand-Pilon, T. Zabel, E. Marin, C. Bonzon, S. Tardif, et al.. Cavity mode analysis of highly strained direct bandgap germanium micro-bridge cavities. 2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Aug 2017, Berlin, Germany. pp.17-18, ⟨10.1109/GROUP4.2017.8082174⟩. ⟨hal-02016455⟩

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