Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2017

Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires

Domaines

Physique [physics]

Armelle Michetti  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02015130

Soumis le : mardi 12 février 2019-08:18:36

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Dates et versions

hal-02015130 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

Citer

Gabriel Mugny, Jing Li, François Triozon, Yann-Michel Niquet, Denis Rideau, et al.. Electronic structure and electron mobility in Si 1– x Ge x nanowires. Applied Physics Letters, 2017, 110 (5), pp.052102. ⟨10.1063/1.4975066⟩. ⟨hal-02015130⟩

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