Molecular beam epitaxy of thin HfTe 2 semimetal films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue 2D Materials Année : 2017

Molecular beam epitaxy of thin HfTe 2 semimetal films

S Aminalragia-Giamini
  • Fonction : Auteur
Gilles Renaud
S A Giamini
  • Fonction : Auteur
J Marquez-Velasco
  • Fonction : Auteur
P Tsipas
  • Fonction : Auteur
… G Renaud
  • Fonction : Auteur
A Dimoulas
  • Fonction : Auteur

Résumé

Epitaxial thin films of 1T-HfTe2semimetal are grown by MBE on AlN(0001) substrates. The measured in-planelattice parameter indicates an unstrainedfilm which is also azimuthallyaligned with the AlN substrate, albeit with an in-planemosaic spread,asit would be expected for van der Waals epitaxy.Angle resolved photoemission spectroscopy combined with first principles electronic bandstructurecalculations show steep linearly dispersing conduction and valence bands which cross near the Brillouin zone center,providing evidence that HfTe2/AlN is an epitaxial topological Dirac semimetal.
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HfTe2 paper_v9_GR.pdf (1020.61 Ko) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-02014375 , version 1 (14-02-2019)

Identifiants

Citer

S Aminalragia-Giamini, Gilles Renaud, S A Giamini, J Marquez-Velasco, P Tsipas, et al.. Molecular beam epitaxy of thin HfTe 2 semimetal films. 2D Materials, 2017, 4 (1), pp.015001. ⟨10.1088/2053-1583/4/1/015001⟩. ⟨hal-02014375⟩
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