Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2016
Gilles Renaud : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02013989
Soumis le : lundi 11 février 2019-13:05:05
Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02013989 , version 1
Citer
M.-I. Richard, A. Malachias, M. Stoffel, T. Merdzhanova, O. Schmidt, et al.. Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si 1− x Ge x islands on Si(001). Journal of Applied Physics, 2016, 119 (8), pp.085704. ⟨hal-02013989⟩
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