Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si 1− x Ge x islands on Si(001) - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2016

Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si 1− x Ge x islands on Si(001)

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Chimie-Physique [physics.chem-ph]

Gilles Renaud  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02013989

Soumis le : lundi 11 février 2019-13:05:05

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Dates et versions

hal-02013989 , version 1 (11-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02013989 , version 1

Citer

M.-I. Richard, A. Malachias, M. Stoffel, T. Merdzhanova, O. Schmidt, et al.. Temperature evolution of defects and atomic ordering in Si 1− x Ge x islands on Si(001). Journal of Applied Physics, 2016, 119 (8), pp.085704. ⟨hal-02013989⟩

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