Effect of temperature on electronic and electrical behavior of InGaN double hetero-junction p-i-n solar cells - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Materials Science: Materials in Electronics Année : 2019

Effect of temperature on electronic and electrical behavior of InGaN double hetero-junction p-i-n solar cells

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Optique [physics.optics] Energie électrique Optique / photonique Electronique

Michel Aillerie  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02005255

Soumis le : dimanche 3 février 2019-21:47:04

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hal-02005255 , version 1 (03-02-2019)

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Citer

Rabeb Belghouthi, Michel Aillerie, Amani Rached, Houcine Mejri. Effect of temperature on electronic and electrical behavior of InGaN double hetero-junction p-i-n solar cells. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, pp.1-7. ⟨10.1007/s10854-019-00714-5⟩. ⟨hal-02005255⟩

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