Thin-body ESD protections in 28nm UTBB-FDSOI: From static to transient behavior - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Thin-body ESD protections in 28nm UTBB-FDSOI: From static to transient behavior

Résumé

Innovative Ultra-Thin Body and Buried Oxide FDSOI protections (BBC-T and Z2-FET) are characterized and analyzed in order to assess the CDM time domain behavior. In addition to static (leakage and triggering) control, it is found that front and back gate coupling is a very efficient way to improve the transient responses of the proposed devices.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Frédérique Ducroquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02003958

Soumis le : vendredi 1 février 2019-14:33:32

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:29:02

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02003958 , version 1 (01-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02003958 , version 1

Citer

Yohann Solaro, Pascal Fonteneau, Charles-Alexandre Legrand, David Marin-Cudraz, Jérémy Passieux, et al.. Thin-body ESD protections in 28nm UTBB-FDSOI: From static to transient behavior. Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) 2014, Sep 2014, Tucson, United States. pp.7-12. ⟨hal-02003958⟩

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