Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2014
Cédric Bermond : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02003828
Soumis le : vendredi 1 février 2019-13:56:40
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:38:20
Citer
Cédric Bermond, M. Brocard, T. Lacrevaz, A. Farcy, P. Le Maître, et al.. RF characterization of the substrate coupling noise between TSV and active devices in 3D integrated circuits. Microelectronic Engineering, 2014, 130, pp.74-81. ⟨10.1016/j.mee.2014.09.025⟩. ⟨hal-02003828⟩
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