High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2017

High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique Autre [cond-mat.other]

Jean-Luc Rouviere  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01998271

Soumis le : mardi 29 janvier 2019-15:14:29

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hal-01998271 , version 1 (29-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01998271 , version 1

Citer

David Cooper, Nicolas Bernier, Jean-Luc Rouviere, Jean-Luc Rouvière, Yun-Yu Wang, et al.. High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction. Applied Physics Letters, 2017, 110 (22), pp.223109. ⟨hal-01998271⟩

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