Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on InP substrates - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2008

Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on InP substrates

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Alexandra Apostoluk  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01997353

Soumis le : lundi 28 janvier 2019-22:38:14

Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03

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Dates et versions

hal-01997353 , version 1 (28-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01997353 , version 1

Citer

Houssam Chouaib, Wojciech Rudno-Rudzinski, Aleksandra Apostoluk, C. Bru-Chevallier, Melania Lijadi, et al.. Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on InP substrates. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’08), May 2008, Versailles, France. ⟨hal-01997353⟩

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