Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on InP substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01997353 , version 1 (28-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01997353 , version 1

Citer

Houssam Chouaib, Wojciech Rudno-Rudzinski, Aleksandra Apostoluk, C. Bru-Chevallier, Melania Lijadi, et al.. Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on InP substrates. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’08), May 2008, Versailles, France. ⟨hal-01997353⟩
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