Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast Heterojunction Bipolar Transistors on InP - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast Heterojunction Bipolar Transistors on InP

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Alexandra Apostoluk  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01997321

Soumis le : lundi 28 janvier 2019-21:40:17

Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03

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Dates et versions

hal-01997321 , version 1 (28-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01997321 , version 1

Citer

Houssam Chouaib, C. Bru-Chevallier, Aleksandra Apostoluk, Wojciech Rudno-Rudzinski, Jean-Luc Pelouard, et al.. Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast Heterojunction Bipolar Transistors on InP. 3rd International Workshop on Modulation Spectroscopy of Semiconductor Structures, Jul 2008, Wroclaw, Poland. ⟨hal-01997321⟩

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