Modèle électrique et caractérisation à haute fréquence de condensateurs intégrés sur interposeur silicium
Résumé
La technologie des « Through Silicon Vias » (TSV) développée pour les interconnexions des interposeurs silicium utilisés dans les empilements 2.5D de circuits intégrés a inspiré de nouveaux composants capacitifs, les « Through Silicon Capacitors » (TSC). Ce papier propose une méthode de modélisation électrique par segments pour de larges matrices de plus de 100 TSCs. La technique de modélisation est ensuite validée expérimentalement sur une large gamme de fréquence (DC-10 GHz). Les matrices de TSC analysées présentent une forte densité de capacité (>23 nF/mm2), de faibles éléments parasites et une fréquence de résonance élevée (>1 GHz pour 10 nF). Ces résultats sont prometteurs pour le découplage dans les réseaux d’alimentation des circuits intégrés très rapides.