Protection périphérique appliquée à une diode bipolaire SiC- 4H haute tension 2,5kV - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Protection périphérique appliquée à une diode bipolaire SiC- 4H haute tension 2,5kV

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01985500 , version 1 (18-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01985500 , version 1

Citer

Thi Thanh Huyen Nguyen. Protection périphérique appliquée à une diode bipolaire SiC- 4H haute tension 2,5kV. JCGE, GDR SEEDS, Jun 2015, Cherbourg, France. ⟨hal-01985500⟩
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