Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition

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https://hal.science/hal-01981226

Soumis le : lundi 14 janvier 2019-22:03:00

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-01981226 , version 1 (14-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01981226 , version 1

Citer

Lian Tian, Arnaud Mantoux, Frédérique Mercier, Alexandre Crisci, R. Reboud, et al.. Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition. E-MRS Spring, Jun 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-01981226⟩

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