Plasma Heavily Nitrogen-Doped Vertically Oriented Graphene Nanosheets (N-VOGNs) for High Volumetric Performance On-Chip Supercapacitors in Ionic Liquid - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Current Smart Materials Année : 2018

Plasma Heavily Nitrogen-Doped Vertically Oriented Graphene Nanosheets (N-VOGNs) for High Volumetric Performance On-Chip Supercapacitors in Ionic Liquid

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Matériaux Chimie inorganique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Autre

Dmitry Aldakov  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01975226

Soumis le : mercredi 9 janvier 2019-11:58:57

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Dates et versions

hal-01975226 , version 1 (09-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01975226 , version 1

Citer

David Aradilla, Marc Delaunay, Michael Buhagiar, Dmitry Aldakov, Jérôme Faure-Vincent, et al.. Plasma Heavily Nitrogen-Doped Vertically Oriented Graphene Nanosheets (N-VOGNs) for High Volumetric Performance On-Chip Supercapacitors in Ionic Liquid. Current Smart Materials, 2018, 3 (1), pp.32-39. ⟨hal-01975226⟩

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