Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Alessandro Cresti  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01966686

Soumis le : samedi 29 décembre 2018-11:34:23

Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:42

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01966686 , version 1 (29-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01966686 , version 1

Citer

Demetrio Logoteta, Nicolas Cavassilas, Marco Pala, Alessandro Cresti, Marc Bescond. Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs. International Workshop on Computational Nanotechnology (IWCN 2017), Jun 2017, Windermere, United Kingdom. ⟨hal-01966686⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNIV-SAVOIE UGA UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU IMEP-LAHC CMNE IM2NP UNIV-PARIS-SACLAY UP-SCIENCES GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE C2N CROMA
132 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More