Strain and Cation Stoichiometry in Epitaxial BaTiO3 Thin Films Grown on Silicon - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Strain and Cation Stoichiometry in Epitaxial BaTiO3 Thin Films Grown on Silicon

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01965445 , version 1 (26-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01965445 , version 1

Citer

Sylvie Schamm-Chardon, C. Magen, R. Guzman, Lucie Mazet, Robin Cours, et al.. Strain and Cation Stoichiometry in Epitaxial BaTiO3 Thin Films Grown on Silicon. MRS 2015 Fall Meeting, Nov 2015, Boston, United States. ⟨hal-01965445⟩
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