Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2016
Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01954256
Soumis le : jeudi 13 décembre 2018-15:20:25
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-13:36:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01954256 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2016.07.132
Citer
S. Mbarek, F. Fouquet, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry. Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests. Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩. ⟨hal-01954256⟩
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