Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2016

Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests

Pascal Dherbécourt
Mohamed Lamine Masmoudi
O. Latry
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01954256 , version 1 (13-12-2018)

Identifiants

Citer

S. Mbarek, F. Fouquet, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry. Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests. Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩. ⟨hal-01954256⟩
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