Enhanced Seebeck effect in graphene devices by strain and doping engineering - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Enhanced Seebeck effect in graphene devices by strain and doping engineering

Mai-Chung Nguyen
  • Fonction : Auteur
Viet-Hung Nguyen
  • Fonction : Auteur
Huy-Viet Nguyen
  • Fonction : Auteur
Philippe Dollfus
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01952016 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01952016 , version 1

Citer

Mai-Chung Nguyen, Viet-Hung Nguyen, Huy-Viet Nguyen, Jérôme Saint-Martin, Philippe Dollfus. Enhanced Seebeck effect in graphene devices by strain and doping engineering. High Performance Scientific Computing Conf. (HPSC7), Mar 2018, Hanoi, Vietnam. ⟨hal-01952016⟩
11 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More