Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Jérôme Saint-Martin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01951995
Soumis le : mercredi 17 juillet 2019-16:46:10
Dernière modification le : samedi 18 mai 2024-03:21:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01951995 , version 1
Citer
J. Larroque, P. Dollfus, Jérôme Saint-Martin. Full-Band modelling of phonons in polytype Ge and Si. 20th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 20), Jul 2017, Buffalo, NY, United States. pp.012007. ⟨hal-01951995⟩
12
Consultations
0
Téléchargements