Numerical and Experimental Assessment of Charge Control in III–V Nano-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Nanoscience and Nanotechnology Année : 2013

Numerical and Experimental Assessment of Charge Control in III–V Nano-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

Arnaud Bournel
Damien Querlioz
Philippe Dollfus
Jiongjong Mo
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01951943 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01951943 , version 1

Citer

Ming Shi, Jérôme Saint-Martin, Arnaud Bournel, Damien Querlioz, Philippe Dollfus, et al.. Numerical and Experimental Assessment of Charge Control in III–V Nano-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2013, 13 (2), pp.771-775. ⟨hal-01951943⟩
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