Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01951910 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01951910 , version 1

Citer

Salim Berrada, Viet Hung Nguyen, Damien Querlioz, Jérôme Saint-Martin, Alfonso Alarcón, et al.. Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior. Applied Physics Letters, 2013, 103 (18), pp.183509. ⟨hal-01951910⟩
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