X-ray study of GaAs/Ge heterostructures: Relationship between interfacial defects and growth process - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nuovo Cimento Della Societa Italiana Di Fisica D-Condensed Matter Atomic Molecular and Chemical Physics Fluids Plasmas Biophysics Année : 1997

X-ray study of GaAs/Ge heterostructures: Relationship between interfacial defects and growth process

Magali Putero
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
N Burle
  • Fonction : Auteur
C Pelosi
CV
C Frigeri
  • Fonction : Auteur
E Chimenti
  • Fonction : Auteur
N Guelton
  • Fonction : Auteur

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Soumis le : mardi 11 décembre 2018-12:28:15

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  • HAL Id : hal-01951289 , version 1

Citer

Magali Putero, N Burle, C Pelosi, C Frigeri, E Chimenti, et al.. X-ray study of GaAs/Ge heterostructures: Relationship between interfacial defects and growth process. Nuovo Cimento Della Societa Italiana Di Fisica D-Condensed Matter Atomic Molecular and Chemical Physics Fluids Plasmas Biophysics, 1997, 19 (2-4), pp.213-217. ⟨hal-01951289⟩

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