Growth and characterization of thick epitaxial GaAs layers - Archive ouverte HAL
Chapitre D'ouvrage Année : 1998

Growth and characterization of thick epitaxial GaAs layers

H Samic
  • Fonction : Auteur
Jc Bourgoin
  • Fonction : Auteur
B Pajot
  • Fonction : Auteur
R Bisaro
  • Fonction : Auteur
C Grattepain
  • Fonction : Auteur
K Khirouni
  • Fonction : Auteur
Magali Putero
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
N Burle
  • Fonction : Auteur
M Melloch
  • Fonction : Auteur
Ma Reed
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-01951286

Soumis le : mardi 11 décembre 2018-12:28:08

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01951286 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

Citer

H Samic, Jc Bourgoin, B Pajot, R Bisaro, C Grattepain, et al.. Growth and characterization of thick epitaxial GaAs layers. Compound Semiconductors 1997, 156, pp.155-158, 1998, ⟨10.1109/ISCS.1998.711603⟩. ⟨hal-01951286⟩

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