Conductive-bridge memory cells based on a nano-porous electrodeposited GeSbTe alloy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2018

Conductive-bridge memory cells based on a nano-porous electrodeposited GeSbTe alloy

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01951256 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

Citer

Charles Rebora, Ruomeng Huang, Gabriela P. Kissling, Marc Bocquet, C H (kees) De Groot, et al.. Conductive-bridge memory cells based on a nano-porous electrodeposited GeSbTe alloy. Nanotechnology, 2018, ⟨10.1088/1361-6528/aae6db⟩. ⟨hal-01951256⟩
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