Correlation between composition, microstructure, and emission properties in Nd-doped Si-rich Si oxynitride films: investigation into the nature of the sensitizer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2019

Correlation between composition, microstructure, and emission properties in Nd-doped Si-rich Si oxynitride films: investigation into the nature of the sensitizer

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hal-01942470 , version 1 (03-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01942470 , version 1

Citer

C-H Liang, Y-T An, W Jin, D-C Meng, W. Wang, et al.. Correlation between composition, microstructure, and emission properties in Nd-doped Si-rich Si oxynitride films: investigation into the nature of the sensitizer. Nanotechnology, 2019, 30 (4), pp.045702. ⟨hal-01942470⟩
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