Epitaxial growth of germanium on silicon using a Gd2O3/Si (111) crystalline template - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2010

Epitaxial growth of germanium on silicon using a Gd2O3/Si (111) crystalline template

I. Gelard
G. Saint Girons
J. Penuelas
P. Regreny
L. Largeau
B. Vilquin
J. Cheng
  • Fonction : Auteur
O. Mauguin
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939983 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

Citer

C. Dubourdieu, I. Gelard, O. Salicio, G. Saint Girons, A. Chettaoui, et al.. Epitaxial growth of germanium on silicon using a Gd2O3/Si (111) crystalline template. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2010, 28 (5), pp.1187-1190. ⟨10.1116/1.3478301⟩. ⟨hal-01939983⟩
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