Ultralow equivalent oxide thickness obtained for thin amorphous LaAlO3 layers grown on Si(001) - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

Ultralow equivalent oxide thickness obtained for thin amorphous LaAlO3 layers grown on Si(001)

L. Becerra
  • Fonction : Auteur
Institut des Nanosciences de Paris
C. Merckling
  • Fonction : Auteur
N. Baboux
INL - Dispositifs Electroniques
C. Plossu
  • Fonction : Auteur
INL - Dispositifs Electroniques
O. Marty
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Nanotechnologies, Capteurs
M. El-Kazzi
  • Fonction : Auteur
Guillaume Saint-Girons
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
B. Vilquin
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
G. Hollinger
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Guillaume Saint-Girons  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01939919

Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-19:56:04

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Dates et versions

hal-01939919 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939919 , version 1

Citer

L. Becerra, C. Merckling, N. Baboux, C. Plossu, O. Marty, et al.. Ultralow equivalent oxide thickness obtained for thin amorphous LaAlO3 layers grown on Si(001). Applied Physics Letters, 2007, 91 (19), pp.192909. ⟨hal-01939919⟩

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