InAs nanocrystals on SiO2∕Si by molecular beam epitaxy for memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2007

InAs nanocrystals on SiO2∕Si by molecular beam epitaxy for memory applications

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939910 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939910 , version 1

Citer

Moïra Hocevar, Philippe Regreny, Armel Descamps, David Albertini, Guillaume Saint-Girons, et al.. InAs nanocrystals on SiO2∕Si by molecular beam epitaxy for memory applications. Applied Physics Letters, 2007, 91 (13), pp.133114. ⟨hal-01939910⟩
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