Continuously Tunable Resonator Using a Novel Triangular Doped Area on a Silicon Substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Microwave and Wireless Components Letters Année : 2018

Continuously Tunable Resonator Using a Novel Triangular Doped Area on a Silicon Substrate

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

ROZENN ALLANIC  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01926362

Soumis le : lundi 19 novembre 2018-10:54:57

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-18:28:03

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hal-01926362 , version 1 (19-11-2018)

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Citer

Rozenn Allanic, Denis Le Berre, Yves Quéré, Cédric Quendo, David Chouteau, et al.. Continuously Tunable Resonator Using a Novel Triangular Doped Area on a Silicon Substrate. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2018, 28 (12), pp.1095-1097. ⟨10.1109/LMWC.2018.2877661⟩. ⟨hal-01926362⟩

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