Evaluation and modeling of lanthanum diffusion in TiN/La2O3/HfSiON/SiO2/Si high-k stacks - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2012

Evaluation and modeling of lanthanum diffusion in TiN/La2O3/HfSiON/SiO2/Si high-k stacks

Résumé

Thermally induced interface chemistry in Mo/B4C/Si/B4C multilayered films J. Appl. Phys. 112, 054317 (2012) Probing the buried C60/Au(111) interface with atoms J. Chem. Phys. 136, 214706 (2012) Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through reduction of Co-Pt interdiffusion in (Co/Pt) multilayers Appl. Phys. Lett. 100, 142410 (2012) Organic salts as super-high rate capability materials for lithium-ion batteries Appl. Phys. Lett. 100, 091905 (2012) Additional information on Appl. Phys. Lett.

Domaines

Physique [physics] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Citer

Zahi Essa, Clement Gaumer, Ardechir Pakfar, Mickael Gros-Jean, Marc Juhel, et al.. Evaluation and modeling of lanthanum diffusion in TiN/La2O3/HfSiON/SiO2/Si high-k stacks. Applied Physics Letters, 2012, 101 (18), pp.182901. ⟨10.1063/1.4764558⟩. ⟨hal-01921905⟩

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