Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2018
Ludovic Desplanque : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01919495
Soumis le : lundi 12 novembre 2018-15:01:25
Dernière modification le : jeudi 25 janvier 2024-03:38:38
Citer
L. Desplanque, Alexandre Bucamp, David Troadec, Gilles Patriarche, X. Wallart. In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate. Nanotechnology, 2018, 29 (30), ⟨10.1088/1361-6528/aac321⟩. ⟨hal-01919495⟩
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