Article Dans Une Revue
Nanoscale Research Letters
Année : 2016
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01918136
Soumis le : vendredi 9 novembre 2018-21:15:47
Dernière modification le : vendredi 14 juin 2024-17:18:14
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01918136 , version 1
- DOI : 10.1186/s11671-016-1642-z
- PUBMEDCENTRAL : PMC5050177
Citer
Youcef A Bioud, Abderraouf A Boucherif, Ali Belarouci, Etienne A Paradis, Dominique A Drouin, et al.. Chemical Composition of Nanoporous Layer Formed by Electrochemical Etching of p-Type GaAs. Nanoscale Research Letters, 2016, 11 (1), ⟨10.1186/s11671-016-1642-z⟩. ⟨hal-01918136⟩
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