AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process
Ahmed Chakroun
(1, 2)
,
Abdelatif Jaouad
(1, 2)
,
Ali Soltani
(3)
,
Osvaldo Arenas
,
Vincent Aimez
(4, 1, 2)
,
Richard A Arès
(4, 1, 2)
,
Hassan Maher
(5, 1, 2)
Ali Soltani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 178734
- IdHAL : ali-soltani
- ORCID : 0000-0001-6185-0760
- IdRef : 061426644
Osvaldo Arenas
- Fonction : Auteur
Vincent Aimez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 182750
- IdHAL : vaimez
- ORCID : 0000-0002-1594-3242
- IdRef : 144755300
Hassan Maher
- Fonction : Auteur
- PersonId : 754932
- IdHAL : hassan-maher
- ORCID : 0000-0002-3827-2517
- IdRef : 078124980