New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2014

New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations

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hal-01906713 , version 1 (17-07-2019)

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T. Thu Trang Nghiêm, Jérôme Saint-Martin, P. Dollfus. New insights into self-heating in double-gate transistors by solving Boltzmann transport equations. Journal of Applied Physics, 2014, 116 (7), ⟨10.1063/1.4893646⟩. ⟨hal-01906713⟩
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