Molecular beam epitaxy growth of 1.3~μm high-reflectivity AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirror - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 1997
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Dates et versions

hal-01904249 , version 1 (24-10-2018)

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Citer

Guilhem Almuneau, F. Genty, Laurent Chusseau, N. Bertru, B. Fraisse, et al.. Molecular beam epitaxy growth of 1.3~μm high-reflectivity AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirror. Electronics Letters, 1997, 33, pp.1227--1228. ⟨10.1049/el:19970830⟩. ⟨hal-01904249⟩
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