Growth and characterization of vertical cavity structures on InP with GaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors for 1.55~μm emission - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 1999

Growth and characterization of vertical cavity structures on InP with GaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors for 1.55~μm emission

Domaines

Optique / photonique

Laurent Chusseau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01904238

Soumis le : mercredi 24 octobre 2018-17:54:39

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

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Dates et versions

hal-01904238 , version 1 (24-10-2018)

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Citer

F. Genty, Guilhem Almuneau, Laurent Chusseau, A. Wilk, Sophie Gaillard, et al.. Growth and characterization of vertical cavity structures on InP with GaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors for 1.55~μm emission. Journal of Crystal Growth, 1999, 201/202, pp.1024--1027. ⟨10.1016/S0022-0248(98)01513-9⟩. ⟨hal-01904238⟩

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