GaSb-based MIR semiconductor materials and lasers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

GaSb-based MIR semiconductor materials and lasers

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01903509 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01903509 , version 1

Citer

E. Tournié. GaSb-based MIR semiconductor materials and lasers. IEEE 2015 Summer Topicals Meeting Series, 2015, Nassau, Bahamas. ⟨hal-01903509⟩
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