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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Épitaxie par jets moléculaires de semi-conducteurs à base d’antimoine sur substrat Si pour la photonique

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01903148 , version 1 (24-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01903148 , version 1

Citer

J.-B. Rodriguez, K. Madiomanana, A. Castellano, E. Tournié. Épitaxie par jets moléculaires de semi-conducteurs à base d’antimoine sur substrat Si pour la photonique. GDR PULSE, Toulouse, 2014, Toulouse, France. ⟨hal-01903148⟩
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