Enhancement of the 2DEG density in AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMTs structures grown by MBE on (311)A and (111)A GaAs substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: C Année : 2008

Enhancement of the 2DEG density in AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMTs structures grown by MBE on (311)A and (111)A GaAs substrates

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Catherine BRU CHEVALLIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01902217

Soumis le : mardi 23 octobre 2018-15:09:59

Dernière modification le : dimanche 14 janvier 2024-17:56:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01902217 , version 1 (23-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01902217 , version 1

Citer

S. Rekaya, L. Sfaxi, L. Bouzaïene, H. Maaref, C. Bru-Chevallier. Enhancement of the 2DEG density in AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMTs structures grown by MBE on (311)A and (111)A GaAs substrates. Materials Science and Engineering: C, 2008, 38, pp.906-909. ⟨hal-01902217⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-LYON1 INSA-LYON EC-LYON INL INSA-GROUPE UDL EC_LYON_STRICT
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More