Surface Fermi level in GaAsSb structures grown by molecular beam epitaxy on InP substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2008

Surface Fermi level in GaAsSb structures grown by molecular beam epitaxy on InP substrates

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

Catherine BRU CHEVALLIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01902121

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Citer

Houssam Chouaib, C. Bru-Chevallier, Aleksandra Apostoluk, Wojciech Rudno-Rudzinski, Melania Lijadi, et al.. Surface Fermi level in GaAsSb structures grown by molecular beam epitaxy on InP substrates. Applied Physics Letters, 2008, 93 (4), ⟨10.1063/1.2959829⟩. ⟨hal-01902121⟩

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