Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast heterojunction bipolar transistors on InP - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2009

Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast heterojunction bipolar transistors on InP

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Optique / photonique

Catherine BRU CHEVALLIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01902088

Soumis le : mardi 23 octobre 2018-14:35:32

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:46:17

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Dates et versions

hal-01902088 , version 1 (23-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01902088 , version 1

Citer

H. Chouaib, C. Bru-Chevallier, A. Apostoluk, W. Rudno-Ruzinski, J. L. Pelouard, et al.. Photoreflectance spectroscopy for the qualification of GaAsSb alloys introduced in ultrafast heterojunction bipolar transistors on InP. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2009, 206, pp.786. ⟨hal-01902088⟩

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