Effect of carriers transfer behavior on the optical properties of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/GaAs heterojunction - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2010

Effect of carriers transfer behavior on the optical properties of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/GaAs heterojunction

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Catherine BRU CHEVALLIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01901770

Soumis le : mardi 23 octobre 2018-11:18:31

Dernière modification le : dimanche 14 janvier 2024-17:56:03

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hal-01901770 , version 1 (23-10-2018)

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Citer

H. Khmissi, L. Sfaxi, L. Bouzaïene, F. Saidi, H. Maaref, et al.. Effect of carriers transfer behavior on the optical properties of InAs quantum dots embedded in AlGaAs/GaAs heterojunction. Journal of Applied Physics, 2010, 107 (7), ⟨10.1063/1.3371356⟩. ⟨hal-01901770⟩

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