Comparative study of electrical parameters of Au/GaN and Hg/GaN Schottky diodes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Année : 2013

Comparative study of electrical parameters of Au/GaN and Hg/GaN Schottky diodes

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Catherine BRU CHEVALLIER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01901721

Soumis le : mardi 23 octobre 2018-10:59:07

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hal-01901721 , version 1 (23-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01901721 , version 1

Citer

Khelifi R., Mazari H., Mansouri S., Ameur K., Benamara Z., et al.. Comparative study of electrical parameters of Au/GaN and Hg/GaN Schottky diodes. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2013, 15 (5-6), pp.471-474. ⟨hal-01901721⟩

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