Impact of CMOS Post Nitridation Annealing on Reliability of 40nm 512kB Embedded Flash Array - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Impact of CMOS Post Nitridation Annealing on Reliability of 40nm 512kB Embedded Flash Array

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : mercredi 29 juillet 2020-16:29:55

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Archivage à long terme le : mardi 1 décembre 2020-17:47:17

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Dates et versions

hal-01900747 , version 1 (29-07-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01900747 , version 1

Citer

Thibault Kempf, Marc Mantelli, François Maugain, Arnaud Regnier, Jean-Michel Portal, et al.. Impact of CMOS Post Nitridation Annealing on Reliability of 40nm 512kB Embedded Flash Array. 2017 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), Oct 2017, Fallen Leaf Lake, CA, United States. ⟨hal-01900747⟩

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