Ultra low power RF cross-coupled VCO design in the subthreshold regime with high immunity to PVT variations in 130nm CMOS technology - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Ultra low power RF cross-coupled VCO design in the subthreshold regime with high immunity to PVT variations in 130nm CMOS technology

I. Ghorbel
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thales III-V Lab
Fayrouz. Haddad
W. Rahajandraibe
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fayrouz HADDAD  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01895535

Soumis le : lundi 15 octobre 2018-12:14:52

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01895535 , version 1 (15-10-2018)

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Citer

I. Ghorbel, Fayrouz. Haddad, W. Rahajandraibe. Ultra low power RF cross-coupled VCO design in the subthreshold regime with high immunity to PVT variations in 130nm CMOS technology. 2015 IEEE 13th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2015, Grenoble, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2015.7182034⟩. ⟨hal-01895535⟩

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