Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor

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Jean-Pierre Cloarec  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01895310

Soumis le : lundi 15 octobre 2018-09:30:55

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:09:18

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hal-01895310 , version 1 (15-10-2018)

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Citer

Getenet Tesega Ayele, Stéphane Monfray, Frédéric Boeuf, Jean-Pierre Cloarec, Serge Ecoffey, et al.. Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor. ESSDERC 2017 - 47th IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgium. ⟨10.1109/ESSDERC.2017.8066642⟩. ⟨hal-01895310⟩

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