Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2017

Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures

A. Ajay
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
C Lim
Nanophysique et Semiconducteurs
CV
D Browne
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
J. Polaczyński
  • Fonction : Auteur
E. Bellet-Amalric
Nanophysique et Semiconducteurs
J. Bleuse
Nanophysique et Semiconducteurs
M. den Hertog
Matériaux, Rayonnements, Structure
E. Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Edith Bellet-Amalric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01890886

Soumis le : mardi 9 octobre 2018-10:14:40

Dernière modification le : vendredi 25 octobre 2024-15:37:27

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Dates et versions

hal-01890886 , version 1 (09-10-2018)

Identifiants

Citer

A. Ajay, C Lim, D Browne, J. Polaczyński, E. Bellet-Amalric, et al.. Effect of doping on the intersubband absorption in Si- and Ge-doped GaN/AlN heterostructures. Nanotechnology, 2017, 28 (40), pp.405204. ⟨10.1088/1361-6528/aa8504⟩. ⟨hal-01890886⟩

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