Metal‐ insulator phase transition oxides for high‐frequency electronics, THz and optics applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Metal‐ insulator phase transition oxides for high‐frequency electronics, THz and optics applications

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01873481 , version 1 (13-09-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01873481 , version 1

Citer

Aurelian Crunteanu, Jean-Christophe Orlianges, Virginie Thery, Alexandre Boulle, Annie Bessaudou, et al.. Metal‐ insulator phase transition oxides for high‐frequency electronics, THz and optics applications. GDR Oxydes fonctionnels : des matériaux aux dispositifs OXYFUN, Journées Nationales 2018, VVF Villages, Piriac‐Sur‐Mer (44), 20 ‐ 23 Mars 2018, Mar 2018, Piriac-sur-Mer, France. ⟨hal-01873481⟩
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