Reversibility of defect formation during oxygen-assisted electron-beam-induced etching of graphene - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Raman Spectroscopy Année : 2018

Reversibility of defect formation during oxygen-assisted electron-beam-induced etching of graphene

Guillaume Pillet
  • Fonction : Auteur
Matériaux Multi-fonctionnels et Multi-échelles
Victor Freire-Soler
  • Fonction : Auteur
Groupe NanoSciences
Marc Nuñez Eroles
  • Fonction : Auteur
Groupe NanoSciences
Wolfgang Bacsa
Matériaux Multi-fonctionnels et Multi-échelles
CV
Erik Dujardin
Groupe NanoSciences
CV
Pascal Puech
Matériaux Multi-fonctionnels et Multi-échelles

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Matériaux

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Soumis le : lundi 3 septembre 2018-08:40:50

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hal-01866089 , version 1 (03-09-2018)

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Citer

Guillaume Pillet, Victor Freire-Soler, Marc Nuñez Eroles, Wolfgang Bacsa, Erik Dujardin, et al.. Reversibility of defect formation during oxygen-assisted electron-beam-induced etching of graphene. Journal of Raman Spectroscopy, 2018, 49 (2), pp.317 - 323. ⟨10.1002/jrs.5287⟩. ⟨hal-01866089⟩

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